 充电器和适配器等快充设备,快充需匹配高功率密度与宽电压输出规模的芯片快充芯片。深圳银联宝。特性科技。快充推出的芯片20V单。高压。特性带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE ,快充集成高压发动
、芯片功率器材和。特性维护电路。快充,芯片省去外部Boost/Buck电路及分立元件,特性缩小
。快充PCB 。芯片面积;内置高压E-GaN和Boost供电电路 ,特性支撑宽电压输出
,切莫错失
! PD快充芯片U8725AHE首要特性 : 1. 集成 高压 E-GaN。 2. 集成高压发动功用。 3. 超低发动和作业
。电流 。,待机功耗
。 <30mW 4. 谷底确定形式 , 最高作业频率两档可调(220kHz
,130kHz)。 5. 集成 EMI 优化技能。 6. 驱动电流分档装备 。 7. 集成 Boost 供电电路。 8. 集成齐备的维护功用: VDD 过压/欠压维护 (VDD OVP/UVLO)。 输出过压/欠压维护 (DEM OVP/UVP)。 输入过压/欠压维护 (LOVP /BOP)。 片内过热维护 (OTP)
。 逐周期电流约束 (OCP)
。 反常过流维护 (AOCP)
。 短路维护 (SCP)。 过载维护 (OLP)
。 前沿消隐 (LEB)。 CS 管脚开路维护 。 9. 封装类型 ESOP-7
。 针对宽输出电压使用场合,为了满意VDD的宽电压使用需求
,往往需求增加额定的电路或许辅佐绕组
,导致体系功耗和电路本钱的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供电技能,仅在SW管脚增加一颗贴片电感即可 ,在输出电压较低时
,Boost电路发动作业,保持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V),当输出电压升高,辅佐绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止作业
,VDD由辅佐绕组供电。 PD快充芯片U8725AHE引脚阐明: 1 CS I/O 。 电流采样。输入、最高频率挑选管脚 。 2 FB I 体系反应输入管脚
。 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测
、驱动才能分档断定管脚。 4 VDD P 芯片供电管脚。 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
。 6 GND P 芯片参阅地 。 7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压发动供电管脚
。 深圳银联宝科技这款20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE,经过高集成规划、动态功率安稳
、谷底确定及降频作业形式等高效能体现 ,明显优化了体系体积、可靠性和能效,成为快充设备 。电源芯片。计划的抱负挑选!
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